Acheter BSM10GD120DN2 de Infineon en France

Marque	Infineon
Produit	BSM10GD120DN2
Description	Transistor
Code intérieur	FBR532962
Poids	1
Spécifications techniques	Configuration : pont complet Maximum. Tension collecteur-émetteur VCEO : 1200 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 2,7 V Collecteur DC à 25 °C : 15 A Courant de fuite porte-émetteur : 120 nA Dp - Dissipation de puissance : 80 W Emballage/Housse : EconoPack 2 Température minimale de travail : - 40 °C Température maximale de travail : + 150 °C Emballage : plateau Marque : Infineon Technologies Hauteur : 17 mm Longueur : 107,5 mm Tension maximale de l'émetteur : 20 V Style de montage : montage sur châssis Type de produit : Modules IGBT Sous-catégorie : IGBT Technologie : Oui Largeur : 45,5 mm Numéro d'alias des pièces : SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1 Poids unitaire : 180 g

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Le BSM10GD120DN2 est conçu pour fournir des performances et une durabilité optimales dans diverses applications. Connu pour sa construction de haute qualité et ses caractéristiques innovantes, il est un choix privilégié par les professionnels.

Caractéristiques clés de BSM10GD120DN2 :

Haute performance : Conçu pour offrir des résultats exceptionnels.
Construction durable : Fabriqué avec des matériaux de haute qualité pour une utilisation durable.
Design innovant : Intègre les dernières technologies pour une efficacité accrue.
Rentable : Offre un excellent rapport qualité-prix avec des prix compétitifs.

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Avis Important: Bien que nous fournissions des produits Infineon, FABRIMAT SARL n'est pas un distributeur autorisé. Tous les droits sont réservés aux fabricants et à leurs partenaires officiels.